覆盖半导体前道清洗与关键辅材清洗两大产品线，服务半导体及泛半导体领域，全系支持非标定制。
非标定制设备，全机 PVC 皮满焊包覆、无金属骨架外露。干进干出设计，实现标准 RCA 湿法清洗流程，去除硅片表面的金属离子、有机物及自然氧化层。
独特双腔结构设计，实现生产效率、清洁效果与设备耐用性的显著提升，专为晶圆后道最终清洗设计。
核心优势：环保无损，高端制造的主流选择。高效剥离硅片表面光刻胶，同时对基底损伤最小化，保证后续工艺良率。
超纯水单片式清洗设备，专用于 8 / 12 英寸 CIS 晶圆 Si Substrate 清洗工艺，确保晶面无残留。
彩色触控屏幕，IPC + PLC（三菱系列）可程控器配合人机接口程控，支持自动 / 手动单一动作执行，每一制程单元独立控制接口，避免误触与错误操作。
人工上下料，设备自动运行去胶清洗流程，是中小批量与多品种制程的高性价比之选。
一机多用，覆盖多种前道关键清洗工艺，适配不同制程需求
专用于光掩模版的清洗，有效去除微粒与有机残留，保障光刻工艺的精度。
实现标准的 RCA 湿法清洗流程，去除硅片表面金属离子、有机物及自然氧化层。
集成刷洗与化学清洗功能，强力去除顽固颗粒与薄膜残留，适用于多种材质。
高效剥离硅片表面光刻胶，对基底损伤最小化，保证后续工艺的良率。
为金属 Lift-off 工艺提供专用清洗，确保图形转移的完整性与精确性。
CO₂ 高压清洗技术，利用干冰颗粒动能与低温效应，实现无残留、非接触式清洁。
核心使命：深度净化，杜绝金属杂质污染。显著延长石英坩埚使用寿命，提升单晶硅拉晶良率，保障 ICP-MS 等高端实验室分析精度。
针对半导体制造关键部件清洗，支持 12 英寸双层异形石英炉管，既能清洗炉管也能清洗石英舟治具，提高设备利用率，去除炉管内壁颗粒与氧化层，保证后续工艺稳定性。
自动 / 手动两种机型可选，广泛应用于半导体及泛半导体生产中的关键辅材清洗环节，恢复舟体洁净度，保障镀膜均匀性。
针对工艺异常硅片的返工清洗设计，去除表面膜层与污染物，使硅片重新进入生产流程，降低物料损耗。
